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Con quattro atomi di rame i semiconduttori acquistano la memoria

L’inserimento di pochi atomi di rame in nanocristalli di semiconduttore conferisce loro proprietà di memoria magnetica.
La scoperta è stata fatta da un gruppo misto di ricercatori del Los Alamos National Laboratory (LANL) e dell’Università di Milano-Bicocca ed è stata recentemente pubblicata sulla rivista Nature Nanotechnology

Il processo adoperato si chiama "drogaggio" e prevede l’inserimento controllato, tramite una specifica procedura di sintesi, di pochi atomi di rame (4-5 atomi) in nanoparticelle di semiconduttore. In questo modo si crea, di fatto, una nuova classe di materiali funzionali magnetici.

Le potenzialità applicative sono notevoli, specialmente nell'ambito di memorie foto scrivibili

Per ulteriori informazioni consultare il comunicato stampa

In archivio dal: 29/01/2013


  

  
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