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“Crescita per impilamento”, la nuova tecnologia per costruire i Materiali perfetti

Il segreto di un materiale perfetto, non soggetto a rotture, distorsioni o altre imperfezioni è crescere ben impilato. È la scoperta dei ricercatori del Centro Interuniversitario per le Nanostrutture Epitassiali su Silicio e Spintronica L-NESS (del Dipartimento di Scienza dei Materiali dell’Università di Milano-Bicocca con il Dipartimento di Fisica e il Polo Territoriale di Como del Politecnico di Milano) e del Laboratorio di Fisica dello Stato Solido del Politecnico di Zurigo, insieme al Centre Suisse d’Electronique et de Microtecnique di Neuchatelle.

germanio Crescita di germanio
su pilastri silicio

Gli autori della ricerca hanno dimostrato come si possano integrare strati di materiali semiconduttori, particolari e diversi, sul silicio (abbondante, economico e ben conosciuto), senza avere crisi di rigetto, difetti, distorsioni e rotture.

Il team di ricercatori che ha condotto lo studio è stato coordinato dal professor Leo Miglio. Allo sviluppo teorico della crescita del materiale per impilamento hanno partecipato anche due giovani ricercatori: Roberto Bergamaschini, dottorando in Scienza dei Materiali e Anna Marzegalli, dottore di ricerca in Scienza dei Materiali.

Grazie alla tecnologia sviluppata si può ottenere un miglioramento delle prestazioni dei diversi materiali applicati sul silicio, potenziandone le proprietà.

La rivista Science ha dedicato a questa ricerca la copertina del numero di Marzo.

Per ulteriori informazioni leggere il comunicato stampa

In archivio dal: 30/03/2012


  
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