7 aprile
10:00
Aula Magna, Edificio Agorà-U6, piano terra, Piazza dell'Ateneo Nuovo 1, Milano
L'Università degli Studi di Milano-Bicocca conferirà la Laurea Magistrale honoris causa in Materials Science and Nanotechnology al professor Hiroshi Amano, fisico, ingegnere e ricercatore giapponese, Premio Nobel per la Fisica nel 2014.
Per l'occasione, il professor Hiroshi Amano terrà una lectio magistralis in lingua inglese, intitolata Role of New Semiconductor Materials in Realizing Net Zero Carbon and Smart Society (Il ruolo dei nuovi materiali semiconduttori nella realizzazione di una società intelligente e a zero emissioni di carbonio).
La lezione rientra nel ciclo di seminari Breakthroughs in Materials Science, organizzato dal Dipartimento di Scienza dei Materiali dell’Università di Milano – Bicocca, che raccoglie interventi da parte scienziati di fama internazionale, i cui recenti studi hanno promosso una profonda evoluzione nel campo della Scienza dei Materiali.
Dalle ore 10:00 alle ore 12:00
- Intervento musicale
- Saluti istituzionali:
- Marco Emilio Orlandi - Prorettore Vicario dell'Università degli Studi di Milano-Bicocca
- Francesca Cucchiara - Consigliera del Comune di Milano
- Giulio Gallera - Presidente della Commissione speciale PNRR, Regione Lombardia
- Paolo Guazzotti - Direttore Settore Innovazione, Finanza, Energia in Assolombarda
Piercarlo Mustarelli - Direttore Dipartimento Scienza dei Materiali
- Laudatio:
Stefano Sanguinetti - Vice direttore Dipartimento Scienza dei Materiali
- Lectio Magistralis:
Professor Hiroshi Amano - Role of New Semiconductor Materials in Realizing Net Zero Carbon and Smart Society
- Intervento musicale
- Rinfresco
Intervento musicale a cura di Fondazione Antonio Carlo Monzino, con la partecipazione di Leonardo Moretti al violino, vincitore del premio Abbado, e del "Perpetuum Mobile Strings Ensemble".
Ringraziamento sponsor: TCI TELECOMUNICAZIONI ITALIA SRL
Hiroshi Amano - Biografia breve
Il professor Hiroshi Amano ha conseguito il titolo di dottore di ricerca in Ingegneria presso l’Università di Nagoya, di cui è Direttore del Center for Integrated Research of Future Electronics, e professore presso l’Institute of Materials and Systems for Sustainability.
Ha condiviso il Premio Nobel 2014 per la Fisica con i professori Isamu Akasaki e Shuji Nakamura “per l’invenzione di efficienti diodi emettitori di luce blu che hanno permesso di creare sorgenti di luce bianca luminose e a risparmio energetico”.
Attualmente sta sviluppando tecnologie per la fabbricazione di semiconduttori di potenza ad alta efficienza e nuovi dispositivi di risparmio energetico presso l'Università di Nagoya.
Il ruolo dei nuovi materiali semiconduttori nella realizzazione di una società intelligente e a zero emissioni di carbonio
La lectio sottolinea la necessità di ricerca e sviluppo sui semiconduttori a gap largo (WBG) e ultra-largo (UWBG), in particolare i semiconduttori a base di nitruro di gallio (GaN), nitruro di alluminio (AlN) e le loro leghe. Sebbene il contributo del GaN e dei materiali correlati nell'illuminazione a LED sia significativo in termini di risparmio energetico, l'applicazione di questi materiali non si limita all'illuminazione: sostituire i dispositivi di potenza basati sul silicio (Si) con quelli basati sul GaN può ridurre il consumo totale di elettricità del 25%.
I dispositivi di potenza ad alta tensione basati sul GaN dovrebbero diventare i dispositivi chiave per la creazione di reti elettriche basate sulle energie rinnovabili, grazie alla loro alta efficienza, alta velocità di commutazione e alle proprietà ad alta tensione. I transistor ad alta frequenza e ad alta potenza basati sul GaN forniranno una soluzione unica per realizzare sistemi di comunicazione wireless a onde millimetriche e persino submillimetriche nel Terahertz (THz).
La lectio si concentra sui recenti sviluppi e sulle prospettive dei semiconduttori a base di azoto e dei loro dispositivi.