BONERA EMILIANO

Ruolo:
Professore associato
Settore scientifico disciplinare:
Fisica sperimentale della materia e applicazioni (PHYS-03/A)
Gruppo scientifico disciplinare:
FISICA SPERIMENTALE DELLA MATERIA E APPLICAZIONI (02/PHYS-03)
E-mail:
[email protected]
Telefono:
0264485033
Stanza:
  • U05, Piano: 1, Stanza: 1074
Orari di ricevimento:

Mercoledi 11.30 su appuntamento

Biografia

Laurea presso Università di Pavia e Strathclyde University di Glasgow. Dottorato presso la University of Leeds con una tesi sulla caratterizzazione ottica micro e near-field di materiali microelettronici. Dal 2002 è stato post-doc presso il laboratorio Materiali e Dispositivi per Microelettronica del CNR, dove dal 2004 è diventato ricercatore. Dal 2007 è entrato all'Università di Milano-Bicocca dove è professore associato. I suoi interessi riguardano principalmente la spettroscopia Raman, la spettroscopia a infrarossi, la spettroscopia di fotoemissione interna, la spettroscopia di fotoluminescenza e la microscopia ottica a campo vicino. Ha applicato queste tecniche allo studio di semiconduttori, isolanti e le loro nanostrutture per applicazioni in micro e optoelettronica. Insegna in corsi di fisica avanzata di laboratorio, semiconduttori, ottica.

Pubblicazioni

  • Rossi, S., Caprotti, V., Filippi, A., Bonera, E., Pedrini, J., Raimondi, R., et al. (2025). Injection spin-Hall effect in a GeSn/Ge two-dimensional hole gas. Intervento presentato a: APS Global Physics Summit 2025, Anaheim (CA), USA. Dettaglio

  • Achilli, S., Marian, D., Lodari, M., Bonera, E., Scappucci, G., Pedrini, J., et al. (2025). Optical Spin Pumping in Silicon [Altro]. Dettaglio

  • Longo, E., Concepción, O., Mantovan, R., Fanciulli, M., Myronov, M., Bonera, E., et al. (2025). Spin Pumping in Epitaxial Ge1-xSnx Alloys. ADVANCED QUANTUM TECHNOLOGIES, 8(5) [10.1002/qute.202400508]. Dettaglio

  • Giulio, F., Calciati, L., Santamaria, R., Bonaventura, E., Acciarri, M., Bonera, E., et al. (2025). Metal-Assisted Chemical Etching of p-type Si Nanopillars with Doping Level of 10^20 cm^–3. ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 7(24), 11180-11186 [10.1021/acsaelm.5c02158]. Dettaglio

  • Bonaventura, E., Massetti, C., Ghomi, S., Gardella, M., Martella, C., Grazianetti, C., et al. (2025). Circular photogalvanic effect in large-scale tellurium thin films. Intervento presentato a: E-MRS Spring Meeting 2025 - May 26-30 2025, Strasbourg, France. Dettaglio

Lista completa

Progetti di ricerca

PHOtonics Terahertz devices based on tOpological materials (PHOTO)
Anno: 2021
Bando: Decreto Direttoriale n.1628 del 16-10-2020 - Bando PRIN 2020
Enti finanziatori: M.I.U.R. - MINISTERO DELL'ISTRUZIONE, DELL'UNIVERSITA' E DELLA RICERCA
Metodo per la produzione di film sottili di dicalcogenuri di metalli di transizione
Anno: 2020
Bando: Bando per la realizzazione di programmi di valorizzazione dei brevetti tramite il finanziamento di progetti di Proof of Concept (PoC) delle Università italiane, degli Enti Pubblici di Ricerca (EPR) italiani e degli Istituti di Ricovero e Cura a Carattere
Enti finanziatori: MIMIT - Ministero delle Imprese e del Made in Italy
Nanostrutture per la deformazione controllata di strati e membrane di semiconduttori gruppo-IV
Anno: 2011
Bando: 2011-001 - Ricerca scientifica e tecnologica sui materiali avanzati

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Premi e responsabilità scientifiche

Incarichi di insegnamento o ricerca

  • Ricercatore a t.d. presso Ente di ric. - Consiglio Nazionale delle Ricerche, 2005 - 2009

Link di approfondimento