BONERA EMILIANO
Via Roberto Cozzi, 55 - 20125 MILANO
Mercoledi 11.30 su appuntamento
Biografia
Emiliano Bonera si è laureato all'Università di Pavia nel 1998 dopo essere stato anche studente presso la Strathclyde University di Glasgow. Ha conseguito il dottorato nel 2002 presso la University of Leeds con una tesi sulla caratterizzazione ottica micro e near-field di materiali microelettronici. Dal 2002 è stato post-doc presso il laboratorio Materiali e Dispositivi per Microelettronica del CNR, dove dal 2004 è diventato ricercatore. Dal 2007 è entrato all'Università di Milano Bicocca come ricercatore. Nel 2017 è diventato professore associato. I suoi interessi riguardano principalmente la spettroscopia Raman, la spettroscopia a infrarossi, la spettroscopia di fotoemissione interna, la spettroscopia di fotoluminescenza e la microscopia ottica a campo vicino. Ha applicato queste tecniche allo studio di semiconduttori, isolanti e le loro nanostrutture per applicazioni in micro e optoelettronica. Ha un indice h di 17 su oltre 60 pubblicazioni su riviste internazionali peer-reviewed. Insegna in corsi di fisica avanzata di laboratorio, semiconduttori, ottica.
Didattica
A.A.: 2019/2020
A.A.: 2018/2019
A.A.: 2017/2018
A.A.: 2016/2017
Pubblicazioni
- Pezzoli, F., Pedrini, J., Biagioni, P., Barzaghi, A., Ballabio, A., Bonera, E., et al. (2019). Optical properties of micron-sized crystals grown via 3D heteroepitaxy. Intervento presentato a: 2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference, 10th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM), 12th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI), Madison, USA. Dettaglio
- Basso Basset, F., Bietti, S., Reindl, M., Esposito, L., Fedorov, A., Huber, D., et al. (2018). High-Yield Fabrication of Entangled Photon Emitters for Hybrid Quantum Networking Using High-Temperature Droplet Epitaxy. NANO LETTERS, 18(1), 505-512. Dettaglio
- Bietti, S., Basso Basset, F., Reindl, M., Esposito, L., Fedorov, A., Huber, D., et al. (2018). High-Yield Fabrication of Entangled Photon Emitters for Hybrid Quantum Networking Using High-Temperature Droplet Epitaxy. Intervento presentato a: ICPS International Conference of Physics of Semiconductors, Montpellier, France. Dettaglio
- Azadmand, M., Barabani, L., Bietti, S., Chrastina, D., Bonera, E., Acciarri, M., et al. (2018). Droplet Controlled Growth Dynamics in Molecular Beam Epitaxy of Nitride Semiconductors. SCIENTIFIC REPORTS, 8(1). Dettaglio
- Montanari, M., Virgilio, M., Manganelli, C., Zaumseil, P., Zoellner, M., Hou, Y., et al. (2018). Photoluminescence study of interband transitions in few-layer, pseudomorphic, and strain-unbalanced Ge/GeSi multiple quantum wells. PHYSICAL REVIEW. B, 98(19). Dettaglio
