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BOSI GIANNI

Ruolo:
Ricercatore a tempo determinato
Settore scientifico disciplinare:
Elettronica (IINF-01/A)
Gruppo scientifico disciplinare:
ELETTRONICA (09/IINF-01)
E-mail:
gianni.bosi@unimib.it

Biografia

Gianni Bosi è nato a Copparo (FE), Italia, nel 1986.

Ha conseguito la laurea specialistica in Ingegneria e Tecnologie per le Telecomunicazioni e l’Elettronica dall’Università degli Studi di Ferrara nel 2010.

Nel 2010 vince una borsa di Dottorato di Ricerca presso il Dipartimento di Ingegneria dell’Università di Ferrara. L’attivià di ricerca viene svolta all’interno del gruppo ricerca ETLab (Electronic for Telecommunication Laboratory), ed è incentrata su caratterizzazione sperimentale e modellazione non lineare di dispositivi attivi per applicazioni a microonde e sulla definizione di metodologie di progettazione innovative per circuiti a microonde. Consegue il titolo di Dottore di Ricerca nel 2014 con una tesi dal titolo “Nonlinear transistor models and design techniques for high-efficiency microwave power amplifiers”.

Dal 2014 al 2020 è stato assegnista di ricerca presso il Dipartimento di Ingegneria dell’Università di Ferrara.

Nel 2014 ha partecipato al progetto europeo “Metrology for new electrical measurement quantities in high-frequency circuits - EURAMET JRP: SIB62 HFCircuits” come Research Fellow presso il Dipartimento di Ingegneria Elettrica (ESAT) dell’Università KU Leuven in Belgio in collaborazione con la Prof.ssa Dominique Schreurs.

Dal 2020 al 2023 è stato Ricercatore a tempo determinato presso il Dipartimento di Ingegneria dell’Università di Ferrara.

Dal 2023 al 2024 è stato Borsista di Ricerca presso il Dipartimento di Ingegneria dell'Università di Ferrara.

Dal 2024 è Ricercatore a tempo determinato presso il Dipartimento di Fisica "G. Occhialini" dell'Università di Milano-Bicocca. Ha conseguito l’Abilitazione Scientifica Nazionale come professore di II fascia nel settore concorsuale 09/E3 Elettronica.

L’attività di ricerca, comprovata da oltre sessanta lavori su riviste e conferenze internazionali, è orientata alla caratterizzazione in regime dinamico non lineare di dispositivi a microonde orientata alla valutazione tecnologica, al modeling e alla progettazione di amplificatori di potenza a microonde. Queste attività vengono svolte anche in collaborazione con diversi enti di ricerca e realtà industriali nazionali ed internazionali fra cui: Università di Roma “Tor Vergata” (Italia), Università di Messina (Italia), KU Leuven (Belgio), National Physical Laboratory, NPL (UK), Università di Niš (Serbia), Sumitomo Electric Industries (Giappone), Anteverta Microwave (Olanda), Integra Technologies (USA), Leonardo Finmeccanica (Italia). I risultati di tali attività sono stati presentati in alcune delle più importanti conferenze internazionali del settore.

Gianni Bosi è membro dell’organizzazione IEEE e della Microwave Theory and Technology Society. È inoltre revisore per diverse riviste internazionali tra cui IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, IEEE Journal of the Electron Device Society, Wiley International Journal of Numerical Modelling.

Pubblicazioni

  • Nanni, J., Saderi, G., Bellanca, G., Bosi, G., Raffo, A., Vadalà, V., et al. (2024). Optimal Coupling for the Reduction of bimodality in 850nm-VCSEL-based Radio-over-G.652-Fiber. In 2023 International Topical Meeting on Microwave Photonics, MWP 2023 - Proceedings (pp.1-4). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/MWP58203.2023.10416571]. Dettaglio

  • Vadala, V., Raffo, A., Colzani, A., Fumagalli, M., Sivverini, G., Bosi, G., et al. (2024). On the Extraction of Accurate Non-Quasi-Static Transistor Models for E -Band Amplifier Design: Learning From the Past. IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, 72(9), 5039-5050 [10.1109/TMTT.2024.3378597]. Dettaglio

  • Crupi, G., Vadala, V., Bosi, G., Gugliandolo, G., Bao, X., Giofre, R., et al. (2024). An Overview of the Impact of the Temperature on the Small- and Large-Signal Performance of 0.15-μm Microwave GaN HEMTs. In 2024 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2024 - Proceedings (pp.1-3). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/IWS61525.2024.10713595]. Dettaglio

  • Zhu, Z., Bosi, G., Raffo, A., Crupi, G., Cai, J. (2024). Accurate Modeling of GaN HEMTs Oriented to Analysis of Kink Effects in S22 and h21: An Effective Machine Learning Approach. IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 12, 201-210 [10.1109/JEDS.2024.3364809]. Dettaglio

  • Kikuchi, K., Raffo, A., Vadalà, V., Bosi, G., Vannini, G., Yamamoto, H. (2024). A New Calibration Technique of Electromagnetic Simulators for Accurate Analyses of Microwave Components on Epitaxial Wafers. IEEE ACCESS, 12, 72721-72729 [10.1109/ACCESS.2024.3403037]. Dettaglio

Lista completa

Premi e responsabilità scientifiche

Premi

  • Best Student Paper Award, GAAS Association, 2014
  • 2013 Graduate Fellowship Award, IEEE Microwave Theory and Tehniques Society, 2013
  • PhD Students Sponsorship Initiative, IEEE MTT-S Administrative Committee, 2012

Incarichi di insegnamento o ricerca

  • Attivita' di insegnamento - Università degli Studi di FERRARA, 2025
  • Ricercatore universitario a t.d. - Università degli Studi di MILANO-BICOCCA, 2024 - 2027
  • Ricercatore universitario a t.d. - Università degli Studi di FERRARA, 2020 - 2023