Molecular Beam Epitaxy con Sorgente al Plasma di Azoto

Sistema per epitassia da fasci molecolari con sorgente al plasma di azoto ad alta densità

Dipartimento
DIPARTIMENTO DI SCIENZA DEI MATERIALI
Responsabile scientifico

SANGUINETTI STEFANO

Voci tariffario
U.1; U.2
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Pubblicazioni

  • Azadmand, M; Vichi, S; Cesura, F; Bietti, S; Chrastina, D; Bonera, E; Vanacore, G; Tsukamoto, S; Sanguinetti, S (2022) Vapour Liquid Solid Growth Effects on InGaN Epilayers Composition Uniformity in Presence of Metal Droplets. Dettaglio
  • Azadmand, M; Bonera, E; Chrastina, D; Bietti, S; Tsukamoto, S; Notzel, R; Sanguinetti, S (2019) Raman spectroscopy of epitaxial InGaN/Si in the central composition range. Dettaglio
  • Azadmand, M; Barabani, L; Bietti, S; Chrastina, D; Bonera, E; Acciarri, M; Fedorov, A; Tsukamoto, S; Nötzel, R; Sanguinetti, S (2018) Droplet Controlled Growth Dynamics in Molecular Beam Epitaxy of Nitride Semiconductors. Dettaglio