MIGLIO LEONIDA

Ruolo:
Professore ordinario
Settore scientifico disciplinare:
Fisica della materia (FIS/03)
Telefono:
Stanza:
  • U05, Piano: 2, Stanza: 2063

Pubblicazioni

  • Reichmann, F., Scalise, E., Becker, A., Hofmann, E., Dabrowski, J., Montalenti, F., et al. (2022). New insights into the electronic states of the Ge(0 0 1) surface by joint angle-resolved photoelectron spectroscopy and first-principle calculation investigation. APPLIED SURFACE SCIENCE, 571(1 January 2022) [10.1016/j.apsusc.2021.151264]. Dettaglio

  • Vanacore, G., Chrastina, D., Scalise, E., Barbisan, L., Ballabio, A., Mauceri, M., et al. (2022). Nanostructured 3C-SiC on Si by a network of (111) platelets: a fully textured film generated by intrinsic growth anisotropy. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 24(39), 24487-24494 [10.1039/d2cp03250c]. Dettaglio

  • Scalise, E., Sarikov, A., Barbisan, L., Marzegalli, A., Migas, D., Montalenti, F., et al. (2021). Thermodynamic driving force in the formation of hexagonal-diamond Si and Ge nanowires. APPLIED SURFACE SCIENCE, 545(15 April 2021) [10.1016/j.apsusc.2021.148948]. Dettaglio

  • Bergamaschini, R., Scalise, E., Albani, M., Assali, S., Plantenga, R., Koelling, S., et al. (2021). Morphological evolution and compositional segregation effects in core-shell nanowires. In Book of Abstracts SemiconNano 2021. Dettaglio

  • Barbisan, L., Sarikov, A., Marzegalli, A., Montalenti, F., Miglio, L. (2021). Nature and Shape of Stacking Faults in 3C-SiC by Molecular Dynamics Simulations. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 258(6) [10.1002/pssb.202000598]. Dettaglio

Progetti di ricerca

CHALLENGE- 3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices
Anno: 2016
Bando: 2015-085 - H2020-FETOPEN-2014-2015-RIA, H2020-NMBP-2016-2017 topic NMBP-09-2016, H2020-NMBP-2016-2017 - TOPIC :NMBP-02-2016 Advanced Materials for Power Electronics based on wide bandgap semiconductor devices technology
Enti finanziatori: EUROPEAN COMMISSION
Wilite
Anno: 2011
Bando: 2009-004 - Bando efficienza energetica
Disposable Dot Field Effect Transistor for High Speed Si integrated Circuits
Anno: 2005
Bando: 6th Framework programme FET-Open
SImulazione, diagnostica e Modeling di un processo innovativo di crescita CVD attivata con palsma di Bassa energia ed Alta Densità
Anno: 2005

Premi e responsabilità scientifiche

Premi

  • Premio Sapio Industria, Sapio SpA, 2013