MIGLIO LEONIDA

Ruolo:
Professore ordinario
Settore scientifico disciplinare:
Fisica teorica della materia, modelli, metodi matematici e applicazioni (PHYS-04/A)
Gruppo scientifico disciplinare:
FISICA TEORICA DELLA MATERIA, MODELLI, METODI MATEMATICI E APPLICAZIONI (02/PHYS-04)
Telefono:
Stanza:
  • U05, Piano: 2, Stanza: 2063

Pubblicazioni

  • Ugolotti, A., Bergamaschini, R., Bertoni, I., Bosi, M., Seravalli, L., Mezzadri, F., et al. (2025). Interpretation of the competition between beta and kappa phases with supersaturation in MOVPE growth of Ga2O3 on c-oriented sapphire. Intervento presentato a: Italian Crystal Growth Conference 2025, Lecce, Italia. Dettaglio

  • Bertoni, I., Ugolotti, A., Scalise, E., Bergamaschini, R., Miglio, L. (2025). Interface energies of Ga2O3 phases with the sapphire substrate and the phase-locked epitaxy of metastable structures explained. JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY. C, 13(3), 1469-1476 [10.1039/d4tc04307c]. Dettaglio

  • Bikerouin, M., Marzegalli, A., Spirito, D., Schaffar, G., Bongiorno, C., Rovaris, F., et al. (2025). Formation of Micrometer-Sized Textured Hexagonal Silicon Crystals via Nanoindentation. SMALL STRUCTURES, 6(6 (June 2025)) [10.1002/sstr.202400552]. Dettaglio

  • Bertoni, I., Ugolotti, A., Scalise, E., Miglio, L. (2024). Surface and volume energies of α-, β-, and κ-Ga2O3 under epitaxial strain induced by a sapphire substrate. JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY. C, 12(5), 1820-1832 [10.1039/D3TC04284G]. Dettaglio

  • Ge, G., Rovaris, F., Lanzoni, D., Barbisan, L., Tang, X., Miglio, L., et al. (2024). Silicon phase transitions in nanoindentation: Advanced molecular dynamics simulations with machine learning phase recognition. ACTA MATERIALIA, 263(15 January 2024) [10.1016/j.actamat.2023.119465]. Dettaglio

Progetti di ricerca

FUTUREOXIDE
Anno: 2023
Bando: FAQC 2023 - prima finestra
Enti finanziatori: Università degli Studi di MILANO-BICOCCA
CHALLENGE- 3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices
Anno: 2016
Bando: 2015-085 - H2020-FETOPEN-2014-2015-RIA, H2020-NMBP-2016-2017 topic NMBP-09-2016, H2020-NMBP-2016-2017 - TOPIC :NMBP-02-2016 Advanced Materials for Power Electronics based on wide bandgap semiconductor devices technology
Enti finanziatori: EUROPEAN COMMISSION
Wilite
Anno: 2011
Bando: 2009-004 - Bando efficienza energetica
Disposable Dot Field Effect Transistor for High Speed Si integrated Circuits
Anno: 2005
Bando: 6th Framework programme FET-Open
SImulazione, diagnostica e Modeling di un processo innovativo di crescita CVD attivata con palsma di Bassa energia ed Alta Densità
Anno: 2005

Premi e responsabilità scientifiche

Premi

  • Premio Sapio Industria, Sapio SpA, 2013