MIGLIO LEONIDA

Ruolo:
Professore ordinario
Settore scientifico disciplinare:
Fisica teorica della materia, modelli, metodi matematici e applicazioni (PHYS-04/A)
Gruppo scientifico disciplinare:
FISICA TEORICA DELLA MATERIA, MODELLI, METODI MATEMATICI E APPLICAZIONI (02/PHYS-04)
Telefono:
Stanza:
  • U05, Piano: 2, Stanza: 2063

Pubblicazioni

  • Bikerouin, M., Marzegalli, A., Spirito, D., Schaffar, G., Bongiorno, C., Rovaris, F., et al. (2025). Formation of Micrometer-Sized Textured Hexagonal Silicon Crystals via Nanoindentation. SMALL STRUCTURES, 6(6 (June 2025)) [10.1002/sstr.202400552]. Dettaglio

  • Ugolotti, A., Bergamaschini, R., Bertoni, I., Bosi, M., Seravalli, L., Mezzadri, F., et al. (2025). Interpretation of the competition between beta and kappa phases with supersaturation in MOVPE growth of Ga2O3 on c-oriented sapphire. Intervento presentato a: Italian Crystal Growth Conference 2025, Lecce, Italia. Dettaglio

  • Marzegalli, A., Scalise, E., Bikerouin, M., Rovaris, F., Fantasia, A., Montalenti, F., et al. (2025). Towards Hexagonal Germanium via Nanoindentation. In Abstract Book: Hexagonal SiGe and Related Materials 3rd International Workshop. Dettaglio

  • Rovaris, F., Dellevoet, J., Marzegalli, A., Schouten, M., Fantasia, A., Tse, O., et al. (2025). Origin and Evolution of I3 defects in Hexagonal Silicon and Germanium. In Abstract Book. Dettaglio

  • Mio, A., Bongiorno, C., Zaghloul, M., Bikerouin, M., Marzegalli, A., Spirito, D., et al. (2025). TEM analysis of Textured Silicon Polymorph Crystals obtained via Nanoindentation and Annealing. In abstract book. Dettaglio

Progetti di ricerca

FUTUREOXIDE
Anno: 2023
Bando: FAQC 2023 - prima finestra
Enti finanziatori: Università degli Studi di MILANO-BICOCCA
CHALLENGE- 3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices
Anno: 2016
Bando: 2015-085 - H2020-FETOPEN-2014-2015-RIA, H2020-NMBP-2016-2017 topic NMBP-09-2016, H2020-NMBP-2016-2017 - TOPIC :NMBP-02-2016 Advanced Materials for Power Electronics based on wide bandgap semiconductor devices technology
Enti finanziatori: EUROPEAN COMMISSION
Wilite
Anno: 2011
Bando: 2009-004 - Bando efficienza energetica
Disposable Dot Field Effect Transistor for High Speed Si integrated Circuits
Anno: 2005
Bando: 6th Framework programme FET-Open
SImulazione, diagnostica e Modeling di un processo innovativo di crescita CVD attivata con palsma di Bassa energia ed Alta Densità
Anno: 2005

Premi e responsabilità scientifiche

Premi

  • Premio Sapio Industria, Sapio SpA, 2013