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MIGLIO LEONIDA

Ruolo:
Professore ordinario
Settore scientifico disciplinare:
Fisica teorica della materia, modelli, metodi matematici e applicazioni (PHYS-04/A)
Gruppo scientifico disciplinare:
FISICA TEORICA DELLA MATERIA, MODELLI, METODI MATEMATICI E APPLICAZIONI (02/PHYS-04)
Telefono:
Stanza:
  • U05, Piano: 2, Stanza: 2063

Pubblicazioni

  • Ugolotti, A., Bergamaschini, R., Bertoni, I., Bosi, M., Seravalli, L., Mezzadri, F., et al. (2025). Interpretation of the competition between beta and kappa phases with supersaturation in MOVPE growth of Ga2O3 on c-oriented sapphire. Intervento presentato a: Italian Crystal Growth Conference 2025, Lecce, Italia. Dettaglio

  • Bikerouin, M., Marzegalli, A., Spirito, D., Schaffar, G., Bongiorno, C., Rovaris, F., et al. (2025). Formation of Micrometer-Sized Textured Hexagonal Silicon Crystals via Nanoindentation. SMALL STRUCTURES [10.1002/sstr.202400552]. Dettaglio

  • Bertoni, I., Ugolotti, A., Scalise, E., Bergamaschini, R., Miglio, L. (2025). Interface energies of Ga2O3 phases with the sapphire substrate and the phase-locked epitaxy of metastable structures explained. JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY. C, 13(3), 1469-1476 [10.1039/d4tc04307c]. Dettaglio

  • Radice, E., Miglio, L., Montalenti, F., Bergamaschini, R. (2024). Interplay of crystal faceting, wetting interactions and substrate geometry in solid-state dewetting and selective-area growth: a phase-field approach. In Abstract book of ECOSS-37. Dettaglio

  • Rovaris, F., Ge, G., Lanzoni, D., Marzegalli, A., Barbisan, L., Tang, X., et al. (2024). Atomistic Mechanisms of dc-hd Phase Transition in Si Nanoindentation. In Book of Abstract: "2nd International Workshop on Hexagonal SiGe and Related Materials". Dettaglio

Progetti di ricerca

FUTUREOXIDE
Anno: 2023
Bando: FAQC 2023 - prima finestra
Enti finanziatori: Università degli Studi di MILANO-BICOCCA
CHALLENGE- 3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices
Anno: 2016
Bando: 2015-085 - H2020-FETOPEN-2014-2015-RIA, H2020-NMBP-2016-2017 topic NMBP-09-2016, H2020-NMBP-2016-2017 - TOPIC :NMBP-02-2016 Advanced Materials for Power Electronics based on wide bandgap semiconductor devices technology
Enti finanziatori: EUROPEAN COMMISSION
Wilite
Anno: 2011
Bando: 2009-004 - Bando efficienza energetica
Disposable Dot Field Effect Transistor for High Speed Si integrated Circuits
Anno: 2005
Bando: 6th Framework programme FET-Open
SImulazione, diagnostica e Modeling di un processo innovativo di crescita CVD attivata con palsma di Bassa energia ed Alta Densità
Anno: 2005

Premi e responsabilità scientifiche

Premi

  • Premio Sapio Industria, Sapio SpA, 2013