BERGAMASCHINI ROBERTO

Ruolo: 
Ricercatore a tempo determinato
Settore scientifico disciplinare: 
FISICA DELLA MATERIA (FIS/03)
Telefono: 
0264485233
Orario di ricevimento: 

Tutti i giorni, ma previo appuntamento da fissare via email

Pubblicazioni

  • Bergamaschini, R., Plantenga, R., Albani, M., Scalise, E., Ren, Y., Hauge, H., et al. (2021). Prismatic Ge-rich inclusions in the hexagonal SiGe shell of GaP-Si-SiGe nanowires by controlled faceting. NANOSCALE, 13(20), 9436-9445. Dettaglio
  • Agati, M., Boninelli, S., Calabretta, C., Mancarella, F., Mauceri, M., Crippa, D., et al. (2021). Growth of thick [1 1 1]-oriented 3C-SiC films on T-shaped Si micropillars. MATERIALS & DESIGN, 208(October 2021) [10.1016/j.matdes.2021.109833]. Dettaglio
  • Bergamaschini, R., & Vitiello, E. (a cura di). (2021). Semiconductor heteroepitaxy. Basel : MDPI AG. Dettaglio
  • Bergamaschini, R., & Vitiello, E. (2021). Semiconductor Heteroepitaxy. CRYSTALS, 11(3), 1-2 [10.3390/cryst11030229]. Dettaglio
  • Bollani, M., Fedorov, A., Albani, M., Bietti, S., Bergamaschini, R., Montalenti, F., et al. (2020). Selective Area Epitaxy of GaAs/Ge/Si Nanomembranes: A Morphological Study. CRYSTALS, 10(2). Dettaglio