BIETTI SERGIO

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Tecnico - amministrativo
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  • U05, Piano: 2, Stanza: 2122

Pubblicazioni

  • Scaccabarozzi, A., Vichi, S., Bietti, S., Cesura, F., Aho, T., Guina, M., et al. (2023). Enhancing intermediate band solar cells performances through quantum engineering of dot states by Droplet Epitaxy. Intervento presentato a: Euro MBE Workshop, Madrid, Spain. Dettaglio

  • Pirard, G., Basset, F., Bietti, S., Sanguinetti, S., Trotta, R., Bester, G. (2023). Effects of random alloy disorder, shape deformation, and substrate misorientation on the exciton lifetime and fine structure splitting of GaAs/ Alx Ga1-xAs (111) quantum dots. PHYSICAL REVIEW. B, 107(20) [10.1103/PhysRevB.107.205417]. Dettaglio

  • Tuktamyshev, A., Cesura, F., Vichi, S., Fedorov, A., Bietti, S., Sanguinetti, S. (2023). Temperature activated transitions in the self assembly of Ga and In droplets on (111)A vicinal substrates. Intervento presentato a: Euro MBE Workshop, Madrid, Spain. Dettaglio

  • Scaccabarozzi, A., Vichi, S., Bietti, S., Cesura, F., Aho, T., Guina, M., et al. (2023). Enhancing intermediate band solar cell performances through quantum engineering of dot states by droplet epitaxy. PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS, 31(6 (June 2023)), 637-644 [10.1002/pip.3672]. Dettaglio

  • Tuktamyshev, A., Vichi, S., Cesura, F., Fedorov, A., Bietti, S., Chrastina, D., et al. (2022). Flat metamorphic InAlAs buffer layer on GaAs(111)A misoriented substrates by growth kinetics control. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 600(15 December 2022) [10.1016/j.jcrysgro.2022.126906]. Dettaglio

Progetti di ricerca

Integrazione di un rivelatore per infrarosso termico su silicio
Anno: 2018
Bando: Nuove idee per la componentistica spaziale del futuro
Enti finanziatori: AGENZIA SPAZIALE ITALIANA (ASI)
4PHOTON-Novel Quantum Emitters monolithically grown on Si, Ge and III-V substrates
Anno: 2016
Bando: H2020-MSCA-ITN-2016
Enti finanziatori: UNIONE EUROPEA