Molecular Beam Epitaxy con Sorgente al Plasma di Azoto

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Sistema per epitassia da fasci molecolari con sorgente al plasma di azoto ad alta densità

Edificio
U5; 0; T070A
Dipartimento
DIPARTIMENTO DI SCIENZA DEI MATERIALI
Responsabile scientifico

SANGUINETTI STEFANO

Voci tariffario
U.1; U.2
https://drive.google.com/file/d/105eJu-Eel5uYFSsn1LY_qiGN1osymJze/view?usp=shar…
Sito tariffario
Immagine Cover

Pubblicazioni

  • Azadmand, M; Vichi, S; Cesura, F; Bietti, S; Chrastina, D; Bonera, E; Vanacore, G; Tsukamoto, S; Sanguinetti, S (2022) Vapour Liquid Solid Growth Effects on InGaN Epilayers Composition Uniformity in Presence of Metal Droplets. Dettaglio
  • Azadmand, M; Bonera, E; Chrastina, D; Bietti, S; Tsukamoto, S; Notzel, R; Sanguinetti, S (2019) Raman spectroscopy of epitaxial InGaN/Si in the central composition range. Dettaglio
  • Azadmand, M; Barabani, L; Bietti, S; Chrastina, D; Bonera, E; Acciarri, M; Fedorov, A; Tsukamoto, S; Nötzel, R; Sanguinetti, S (2018) Droplet Controlled Growth Dynamics in Molecular Beam Epitaxy of Nitride Semiconductors. Dettaglio